![ZXMN2A01FTA](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-dlpt057f-6342.jpg)
ZXMN2A01FTA
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
1.9A Ta
2.5V 4.5V
1
625mW Ta
7.47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
附加功能
LOW THRESHOLD
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2.09A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
625mW
接通延迟时间
2.49 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
303pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
上升时间
5.21ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
5.21 ns
连续放电电流(ID)
2.2A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
ZXMN2A01FTA
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2.2 A
1.9A (Ta)
700 mV
12 V
625 mW
625mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.7 A
1.7A (Ta)
-
12 V
806 mW
625mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2.5 A
2.5A (Ta)
700 mV
12 V
500 mW
500mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.7 A
1.7A (Ta)
900 mV
8 V
500 mW
500mW (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
2.2 A
-
-1 V
12 V
960 mW
-
ZXMN2A01FTA PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :