![DMP2022LSS-13](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
DMP2022LSS-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
850.995985mg
晶体管元件材料
SILICON
10A Ta
2.5V 10V
1
2.5W Ta
108 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2444pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56.9nC @ 10V
上升时间
9.9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
76.5 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
770mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
35A
DS 击穿电压-最小值
20V
高度
1.5mm
长度
5.3mm
宽度
4.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
DMP2022LSS-13
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
10A (Ta)
10 A
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
12A (Ta)
12 A
25 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
12A (Ta)
12 A
12 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
7.1A (Ta)
7.1 A
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
DMP2022LSS-13 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :