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DMN62D1SFB-7B
3-UFDFN
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 3-Pin DFN T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
410mA Ta
4.5V 10V
1
470mW Ta
18.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
470mW
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3.89 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 40mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
80pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.8nC @ 10V
上升时间
4.93ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11.96 ns
连续放电电流(ID)
410mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
DMN62D1SFB-7B
Surface Mount
3-UFDFN
60V
410 mA
410mA (Ta)
20 V
470 mW
470mW (Ta)
-
Surface Mount
3-UFDFN
60V
100 mA
100mA (Ta)
20 V
470 mW
470mW (Ta)
-
Surface Mount
3-UFDFN
30V
500 mA
400mA (Ta)
20 V
-
500mW (Ta)
-
Surface Mount
3-UDFN
60V
310 mA
310mA (Ta)
20 V
-
480mW (Ta)
DMN62D1SFB-7B PDF数据手册
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