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DMN6068SE-13

型号:

DMN6068SE-13

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

DMN6068SE

描述:

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.1A Ta

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 2W Ta

  • 11.9 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    68mOhm

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.7W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    3.6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    68m Ω @ 12A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    502pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10.3nC @ 10V

  • 上升时间

    10.8ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20.8A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    37.5 mJ

  • 高度

    1.65mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    3.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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