![DMG4435SSS-13](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
DMG4435SSS-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
7.3A Ta
5V 20V
1
2.5W Ta
44.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
20mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
8.6 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 11A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1614pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35.4nC @ 10V
上升时间
12.7ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
22.8 ns
连续放电电流(ID)
7.3A
阈值电压
-1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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DMG4435SSS-13
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
7.3 A
7.3A (Ta)
-1.7 V
25 V
2.5 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
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8.8A (Ta)
-2.1 V
25 V
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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6A (Ta), 10.2A (Tc)
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8.8 A
8.8A (Ta)
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25 V
2.5 W
DMG4435SSS-13 PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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