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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / DMG2302U-7 /
DMG2302U-7

DMG2302U-7

型号:

DMG2302U-7

品牌:

Diodes Incorporated

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表:

DMG2302U

描述:

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.2A Ta

  • 2.5V 4.5V

  • 1

  • 800mW Ta

  • 28.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    90MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    800mW

  • 接通延迟时间

    7.4 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    90m Ω @ 3.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    594.3pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    9.8ns

  • Vgs（最大值）

    ±8V

  • 下降时间（典型值）

    6.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.2A

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • DMG2302U-7

    DMG2302U-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    4.2 A

    4.2A (Ta)

    1 V

    8 V

    800 mW

    800mW (Ta)

  • DMG2301U-7
    DMG2301U-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    4.2 A

    4.2A (Ta)

    1 V

    8 V

    800 mW

    800mW (Ta)

  • DMN2075U-7
    DMN2075U-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    3.2 A

    3.2A (Ta)

    -600 mV

    12 V

    1.4 W

    1.4W (Ta)

  • DMP2160U-7
    DMP2160U-7

    Diodes Incorporated

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    -2.3 A

    3.1A (Tc)

    -1 V

    8 V

    860 mW

    860mW (Ta), 1.6W (Tc)

  • SI2301CDS-T1-E3
    SI2301CDS-T1-E3

    Vishay Siliconix

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    2.7 A

    2.5A (Ta)

    -

    8 V

    800 mW

    800mW (Ta)

DMG2302U-7 PDF数据手册