规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
SOT-123
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Active
4 V
87 W
NPN
+ 200 C
19
0.561650 oz
- 65 C
1
Screw Mount
Advanced Semiconductor, Inc.
Advanced Semiconductor, Inc.
7.5 A
Details
55 V
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
FLANGE MOUNT
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
200 °C
BLW50F
ROUND
Active
ASI SEMICONDUCTOR INC
4.35
系列
*
包装
Tray
ECCN 代码
EAR99
类型
RF Bipolar Power
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
Not Qualified
工作频率
30 MHz
配置
Single
极性/通道类型
NPN
产品类别
RF Bipolar Transistors
晶体管类型
Bipolar Power
最大耗散功率(Abs)
94 W
集电极电流-最大值(IC)
3.25 A
最小直流增益（hFE）
15
连续集电极电流
3.25 A
集电极-发射器电压-最大值
55 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
100 pF
产品类别
RF Bipolar Transistors