规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
SOT-123
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
4 V
36 W
NPN
+ 200 C
5
0.374172 oz
- 65 C
1
Screw Mount
Advanced Semiconductor, Inc.
Advanced Semiconductor, Inc.
Details
35 V
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
FLANGE MOUNT
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
200 °C
BLV21
ROUND
Active
ASI SEMICONDUCTOR INC
5.08
包装
Tray
ECCN 代码
EAR99
类型
RF Bipolar Power
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
Not Qualified
工作频率
175 MHz
配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
产品类别
RF Bipolar Transistors
晶体管类型
Bipolar Power
最大耗散功率(Abs)
36 W
集电极电流-最大值(IC)
1.75 A
最小直流增益（hFE）
10
连续集电极电流
1.75 A
集电极-发射器电压-最大值
35 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
50 pF
产品类别
RF Bipolar Transistors