规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
DO-203AB, DO-5, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-5
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Bulk
厂商
Microchip Technology
Active
4 V
132 W
NPN
+ 200 C
15
- 65 C
Through Hole
Advanced Semiconductor, Inc.
Advanced Semiconductor, Inc.
20 A
Details
33 V
POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
POST/STUD MOUNT
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
200 °C
750 MHz
BLV33
ROUND
Active
ASI SEMICONDUCTOR INC
5.09
系列
-
包装
Tray
ECCN 代码
EAR99
类型
RF Bipolar Power
子类别
Transistors
技术
Standard
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-CRPM-F4
资历状况
Not Qualified
工作频率
224 MHz
配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
975 mV @ 70 A
工作温度 - 结点
175°C (Max)
晶体管应用
AMPLIFIER
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
100 V
平均整流电流（Io）
70A
极性/通道类型
NPN
产品类别
RF Bipolar Transistors
晶体管类型
Bipolar Power
电容@Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
最大耗散功率(Abs)
132 W
集电极电流-最大值(IC)
12.5 A
最小直流增益（hFE）
15
连续集电极电流
12.5 A
集电极-发射器电压-最大值
33 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
反向恢复时间(trr)
50 ns
产品类别
RF Bipolar Transistors