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我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

制造商是'Toshiba'

  • Toshiba 晶体管 - IGBT - 单个

    (38)

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产品型号

品牌

数据表

有效性

单价(CNY)

询价

认证

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

系列

零件状态

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

输入类型

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

产品类别

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

信道型

最大耗散功率(Abs)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

闸门收费

集极脉冲电流(Icm)

Td(开/关)@25°C

开关能量

栅极-发射极电压-最大值

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

反向恢复时间(trr)

环境耗散-最大值

最大下降时间 (tf)

产品类别

无铅

GT50J341,Q GT50J341,Q

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

12 Weeks

活跃

50 A

-

- 25 V, + 25 V

200 W

+ 175 C

- 55 C

50

通孔

Toshiba

Toshiba

100 A

Details

600 V

,

GT50J341,Q

活跃

TOSHIBA CORP

5.67

IGBT晶体管

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

unknown

Single

Standard

200 W

600 V

2.2V @ 15V, 50A

-

100 A

-

-

IGBT晶体管

GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

20 A

300V, 20A, 33Ohm, 15V

150C

Military

TO-220SIS

20(A)

-55C

±25(V)

通孔

- 25 V, + 25 V

45 W

+ 150 C

- 55 C

50

通孔

Toshiba

Toshiba

80 A

Details

600 V

150 °C

GT20J341,S4X(S

活跃

TOSHIBA CORP

2.3

IGBT晶体管

通孔

TO-220-3 Full Pack

NO

TO-220SIS

东芝半导体与存储

Tube

150°C (TJ)

Magazine

-

EAR99

IGBTs

Si

unknown

3 +Tab

Single

45

Standard

45 W

N-CHANNEL

600 V

N

45 W

2V @ 15V, 20A

20 A

20

-

600 V

80 A

60ns/240ns

500μJ (on), 400μJ (off)

25 V

90 ns

IGBT晶体管

GT40RR21(STA1,E GT40RR21(STA1,E

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

40 A

280V, 40A, 10Ohm, 20V

GT40RR21

- 25 V, + 25 V

230 W

+ 175 C

- 55 C

25

通孔

Toshiba

Toshiba

200 A

Details

1.35 kV

IGBT晶体管

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

Single

Standard

230 W

1200 V

2.8V @ 15V, 40A

-

200 A

-

-, 540μJ (off)

600 ns

IGBT晶体管

GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

50 A

-

Compliant

- 25 V, + 25 V

230 W

+ 175 C

0.162260 oz

- 55 C

25

通孔

Toshiba

Toshiba

600 V

IGBT晶体管

通孔

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-55 °C

IGBTs

Si

Single

Single

230

Standard

230 W

600 V

50 A

600 V

2.2V @ 15V, 50A

50

-

100 A

-

-

IGBT晶体管

无铅

GT30J341,Q GT30J341,Q

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

12 Weeks

活跃

59 A

300V, 30A, 24Ohm, 15V

GT30J341

- 25 V, + 25 V

230 W

+ 175 C

- 55 C

100

通孔

Toshiba

Toshiba

120 A

Details

600 V

,

GT30J341,Q

活跃

TOSHIBA CORP

5.67

IGBT晶体管

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tray

175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

Si

unknown

Single

Standard

230 W

600 V

2V @ 15V, 30A

120 A

80ns/280ns

800μJ (on), 600μJ (off)

50 ns

IGBT晶体管

GT40WR21,Q GT40WR21,Q

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

40 A

-

- 25 V, + 25 V

375 W

+ 175 C

- 55 C

100

通孔

Toshiba

Toshiba

80 A

Details

1.8 kV

IGBT晶体管

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tray

175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

Si

Single

Standard

375 W

1350 V

5.9V @ 15V, 40A

-

80 A

-

-

IGBT晶体管

GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

50 A

-

Compliant

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

TO-3P(N)

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

-

230

Standard

230 W

600 V

2V @ 15V, 50A

50

-

100 A

-

-

GT30N135SRA,S1E GT30N135SRA,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

60 A

300V, 60A, 39Ohm, 15V

- 25 V, 25 V

348 W

+ 175 C

- 55 C

通孔

1.35 kV

通孔

TO-247-3

TO-247

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

-

Si

Single

Standard

348 W

1350 V

2.6V @ 15V, 60A

-

270 nC

120 A

-

-, 1.3mJ (off)

GT20N135SRA,S1E GT20N135SRA,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

活跃

40 A

300V, 40A, 39Ohm, 15V

- 25 V, + 25 V

312 W

+ 175 C

0.000217 oz

- 55 C

30

通孔

Toshiba

Toshiba

Details

1.35 kV

IGBT晶体管

通孔

TO-247-3

TO-247

东芝半导体与存储

Tube

175°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

Single

Standard

312 W

1350 V

2.4V @ 15V, 40A

-

185 nC

80 A

-

-, 700μJ (off)

IGBT晶体管

MG360V1US41 MG360V1US41

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Obsolete

TOSHIBA CORP

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

1

150 °C

UNSPECIFIED

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

1000 ns

500 ns

NO

5

SILICON

EAR99

HIGH SPEED

8541.29.00.95

UPPER

UNSPECIFIED

unknown

5

R-XUFM-X5

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

ISOLATED

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

3600 W

360 A

1700 V

20 V

4.5 V

8 V

3600 W

1500 ns

GT50G102 GT50G102

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

2-16C1C, 3 PIN

1

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

1800 ns

400 ns

NO

3

SILICON

Obsolete

高速开关

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE

COLLECTOR

电源控制

N-CHANNEL

50 A

400 V

MP7003 MP7003

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T7

1

125 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

700 ns

700 ns

NO

7

SILICON

Obsolete

EAR99

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

R-PSFM-T7

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

N-CHANNEL

37 W

40 A

600 V

20 V

2.7 V

MIG10J805H MIG10J805H

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

MODULE

IN-LINE, R-XDIP-T20

6

UNSPECIFIED

RECTANGULAR

IN-LINE

500 ns

150 ns

NO

20

SILICON

Obsolete

EAR99

HIGH SPEED

DUAL

THROUGH-HOLE

unknown

20

R-XDIP-T20

不合格

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE

ISOLATED

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

10 A

600 V

GT60M101 GT60M101

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

2-21F1C, 3 PIN

1

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

1000 ns

400 ns

NO

3

SILICON

Obsolete

高速开关

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE

COLLECTOR

电源控制

N-CHANNEL

60 A

900 V

GT60M105 GT60M105

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

1

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

800 ns

500 ns

NO

3

SILICON

Obsolete

HIGH SPEED

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE

COLLECTOR

电源控制

N-CHANNEL

60 A

900 V

GT60M103 GT60M103

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

1

SILICON

Obsolete

unknown

不合格

SINGLE

N-CHANNEL

60 A

900 V

MG15Q2YS9 MG15Q2YS9

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

,

2

SILICON

Obsolete

EAR99

unknown

不合格

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

N-CHANNEL

15 A

1200 V

GT50N322A GT50N322A

Toshiba Semiconductor and Storage 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

12 Weeks

活跃

50 A

-

- 25 V, + 25 V

156 W

+ 150 C

0.162260 oz

- 55 C

50

通孔

Toshiba

Toshiba

120 A

Details

1 kV

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

330 ns

700 ns

150 °C

GT50N322A

RECTANGULAR

1

活跃

TOSHIBA CORP

2.12

IGBT晶体管

通孔

TO-3P-3, SC-65-3

NO

TO-3P(N)

3

SILICON

东芝半导体与存储

Tube

150°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

SINGLE

THROUGH-HOLE

unknown

3

R-PSFM-T3

不合格

Single

COLLECTOR

Standard

156 W

电源控制

N-CHANNEL

1000 V

2.8V @ 15V, 60A

50 A

-

1000 V

120 A

-

-

800 ns

IGBT晶体管

GT30J122A(STA1,E GT30J122A(STA1,E

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

Toshiba

- 20 V, + 20 V

IGBT晶体管

Toshiba

IGBTs

IGBT晶体管

GT50J342,Q(O GT50J342,Q(O

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

EAR99

±25

600

1.5

80

0.1

394

-55

175

通孔

19

4.5

15.5

3

Tab

TO-3PN

Compliant

Compliant

Obsolete

3

Single

N

GT50MR21,Q(O GT50MR21,Q(O

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

通孔

20

4.5

15.5

3

Tab

TO-3PN

Non-Compliant

Compliant

Obsolete

3

GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O

Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

EAR99

±25

1800

2.9

40

0.1

375

-55

175

通孔

19

4.5

15.9(Max)

3

Tab

TO-3PN

TO-3PN

通孔

175C

Military

TO-3PN

40(A)

-55C

±25(V)

Compliant

175 °C

GT40WR21,Q(O

东芝美国电子元器件

活跃

TOSHIBA CORP

5.67

NO

3

Compliant

活跃

EAR99

绝缘栅BIP晶体管

unknown

3

Single

N-CHANNEL

N

375 W

40 A

1800 V

25 V

350 ns

MIG12J504L MIG12J504L

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

,

1

100 °C

Obsolete

EAR99

unknown

12 A

600 V

2.3 V

MG25Q6ES51A MG25Q6ES51A

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17

6

125 °C

UNSPECIFIED

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

600 ns

150 ns

NO

17

SILICON

Obsolete

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

unknown

17

R-XUFM-X17

不合格

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

ISOLATED

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

200 W

35 A

1200 V

20 V

3.2 V

MG100Q2YS51A MG100Q2YS51A

Toshiba America Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

倍率: 1

TOSHIBA CORP

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

2

150 °C

UNSPECIFIED

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

500 ns

50 ns

NO

7

SILICON

Obsolete

EAR99

HIGH SPEED

8541.29.00.95

UPPER

UNSPECIFIED

unknown

7

R-XUFM-X7

不合格

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

ISOLATED

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

660 W

150 A

1200 V

20 V

3.6 V

6 V

660 W

300 ns