制造商是'Toshiba'
Toshiba 晶体管 - IGBT - 单个
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 零件状态 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 输入类型 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 信道型 | 最大耗散功率(Abs) | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | 闸门收费 | 集极脉冲电流(Icm) | Td(开/关)@25°C | 开关能量 | 栅极-发射极电压-最大值 | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 反向恢复时间(trr) | 环境耗散-最大值 | 最大下降时间 (tf) | 产品类别 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50J341,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 活跃 | 50 A | - | - 25 V, + 25 V | 200 W | + 175 C | - 55 C | 50 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 100 A | Details | 600 V | , | GT50J341,Q | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.67 | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | Si | unknown | Single | Standard | 200 W | 600 V | 2.2V @ 15V, 50A | - | 100 A | - | - | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT20J341,S4X(S | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 20 A | 300V, 20A, 33Ohm, 15V | 150C | Military | TO-220SIS | 20(A) | 无 | -55C | ±25(V) | 通孔 | - 25 V, + 25 V | 45 W | + 150 C | - 55 C | 50 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 80 A | Details | 600 V | 150 °C | 有 | GT20J341,S4X(S | 活跃 | TOSHIBA CORP | 2.3 | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-220-3 Full Pack | NO | TO-220SIS | 东芝半导体与存储 | Tube | 150°C (TJ) | Magazine | - | EAR99 | IGBTs | Si | unknown | 3 +Tab | Single | 45 | Standard | 45 W | N-CHANNEL | 600 V | N | 45 W | 2V @ 15V, 20A | 20 A | 20 | - | 600 V | 80 A | 60ns/240ns | 500μJ (on), 400μJ (off) | 25 V | 90 ns | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT40RR21(STA1,E | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 40 A | 280V, 40A, 10Ohm, 20V | GT40RR21 | - 25 V, + 25 V | 230 W | + 175 C | - 55 C | 25 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 200 A | Details | 1.35 kV | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | Si | Single | Standard | 230 W | 1200 V | 2.8V @ 15V, 40A | - | 200 A | - | -, 540μJ (off) | 600 ns | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50JR22(STA1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 50 A | - | Compliant | - 25 V, + 25 V | 230 W | + 175 C | 0.162260 oz | - 55 C | 25 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 600 V | IGBT晶体管 | 通孔 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -55 °C | IGBTs | Si | Single | Single | 230 | Standard | 230 W | 600 V | 50 A | 600 V | 2.2V @ 15V, 50A | 50 | - | 100 A | - | - | IGBT晶体管 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT30J341,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 活跃 | 59 A | 300V, 30A, 24Ohm, 15V | GT30J341 | - 25 V, + 25 V | 230 W | + 175 C | - 55 C | 100 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 120 A | Details | 600 V | , | GT30J341,Q | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.67 | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tray | 175°C (TJ) | Tray | - | IGBTs | Si | unknown | Single | Standard | 230 W | 600 V | 2V @ 15V, 30A | 120 A | 80ns/280ns | 800μJ (on), 600μJ (off) | 50 ns | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT40WR21,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 40 A | - | - 25 V, + 25 V | 375 W | + 175 C | - 55 C | 100 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 80 A | Details | 1.8 kV | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tray | 175°C (TJ) | Tray | - | IGBTs | Si | Single | Standard | 375 W | 1350 V | 5.9V @ 15V, 40A | - | 80 A | - | - | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50JR21(STA1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 50 A | - | Compliant | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | - | 230 | Standard | 230 W | 600 V | 2V @ 15V, 50A | 50 | - | 100 A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT30N135SRA,S1E | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 60 A | 300V, 60A, 39Ohm, 15V | - 25 V, 25 V | 348 W | + 175 C | - 55 C | 通孔 | 1.35 kV | 通孔 | TO-247-3 | TO-247 | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | - | Si | Single | Standard | 348 W | 1350 V | 2.6V @ 15V, 60A | - | 270 nC | 120 A | - | -, 1.3mJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT20N135SRA,S1E | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 40 A | 300V, 40A, 39Ohm, 15V | - 25 V, + 25 V | 312 W | + 175 C | 0.000217 oz | - 55 C | 30 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | Details | 1.35 kV | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-247-3 | TO-247 | 东芝半导体与存储 | Tube | 175°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | Si | Single | Standard | 312 W | 1350 V | 2.4V @ 15V, 40A | - | 185 nC | 80 A | - | -, 700μJ (off) | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MG360V1US41 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | TOSHIBA CORP | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | 1 | 150 °C | UNSPECIFIED | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 1000 ns | 500 ns | NO | 5 | SILICON | 无 | EAR99 | HIGH SPEED | 8541.29.00.95 | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 5 | R-XUFM-X5 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 3600 W | 360 A | 1700 V | 20 V | 4.5 V | 8 V | 3600 W | 1500 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50G102 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | 2-16C1C, 3 PIN | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 1800 ns | 400 ns | NO | 3 | SILICON | Obsolete | 高速开关 | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE | COLLECTOR | 电源控制 | N-CHANNEL | 50 A | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MP7003 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T7 | 1 | 125 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 700 ns | 700 ns | NO | 7 | SILICON | Obsolete | EAR99 | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | R-PSFM-T7 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | N-CHANNEL | 37 W | 40 A | 600 V | 20 V | 2.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MIG10J805H | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | MODULE | IN-LINE, R-XDIP-T20 | 6 | UNSPECIFIED | RECTANGULAR | IN-LINE | 500 ns | 150 ns | NO | 20 | SILICON | Obsolete | EAR99 | HIGH SPEED | DUAL | THROUGH-HOLE | unknown | 20 | R-XDIP-T20 | 不合格 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 10 A | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT60M101 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | 2-21F1C, 3 PIN | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 1000 ns | 400 ns | NO | 3 | SILICON | Obsolete | 高速开关 | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE | COLLECTOR | 电源控制 | N-CHANNEL | 60 A | 900 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT60M105 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 800 ns | 500 ns | NO | 3 | SILICON | Obsolete | HIGH SPEED | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE | COLLECTOR | 电源控制 | N-CHANNEL | 60 A | 900 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT60M103 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | 1 | SILICON | Obsolete | unknown | 不合格 | SINGLE | N-CHANNEL | 60 A | 900 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MG15Q2YS9 | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | , | 2 | SILICON | Obsolete | EAR99 | unknown | 不合格 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | N-CHANNEL | 15 A | 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50N322A | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 活跃 | 50 A | - | - 25 V, + 25 V | 156 W | + 150 C | 0.162260 oz | - 55 C | 50 | 通孔 | Toshiba | Toshiba | 120 A | Details | 1 kV | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 330 ns | 700 ns | 150 °C | GT50N322A | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 2.12 | IGBT晶体管 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | NO | TO-3P(N) | 3 | SILICON | 东芝半导体与存储 | Tube | 150°C (TJ) | Tube | - | IGBTs | Si | SINGLE | THROUGH-HOLE | unknown | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | Single | COLLECTOR | Standard | 156 W | 电源控制 | N-CHANNEL | 1000 V | 2.8V @ 15V, 60A | 50 A | - | 1000 V | 120 A | - | - | 800 ns | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT30J122A(STA1,E | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Toshiba | - 20 V, + 20 V | IGBT晶体管 | Toshiba | IGBTs | IGBT晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50J342,Q(O | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | EAR99 | 无 | 无 | ±25 | 600 | 1.5 | 80 | 0.1 | 394 | -55 | 175 | 通孔 | 19 | 4.5 | 15.5 | 3 | Tab | TO-3PN | Compliant | Compliant | Obsolete | 3 | Single | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT50MR21,Q(O | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 无 | 无 | 通孔 | 20 | 4.5 | 15.5 | 3 | Tab | TO-3PN | Non-Compliant | Compliant | Obsolete | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GT40WR21,Q(O | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | EAR99 | 无 | 无 | ±25 | 1800 | 2.9 | 40 | 0.1 | 375 | -55 | 175 | 通孔 | 19 | 4.5 | 15.9(Max) | 3 | Tab | TO-3PN | TO-3PN | 通孔 | 175C | Military | TO-3PN | 40(A) | 无 | -55C | ±25(V) | Compliant | 175 °C | 有 | GT40WR21,Q(O | 东芝美国电子元器件 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.67 | NO | 3 | Compliant | 活跃 | EAR99 | 绝缘栅BIP晶体管 | unknown | 3 | Single | N-CHANNEL | N | 375 W | 40 A | 1800 V | 25 V | 350 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MIG12J504L | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | , | 1 | 100 °C | Obsolete | EAR99 | unknown | 12 A | 600 V | 2.3 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MG25Q6ES51A | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 | 6 | 125 °C | UNSPECIFIED | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 600 ns | 150 ns | NO | 17 | SILICON | Obsolete | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 17 | R-XUFM-X17 | 不合格 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 200 W | 35 A | 1200 V | 20 V | 3.2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MG100Q2YS51A | Toshiba America Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TOSHIBA CORP | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 2 | 150 °C | UNSPECIFIED | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 500 ns | 50 ns | NO | 7 | SILICON | Obsolete | EAR99 | HIGH SPEED | 8541.29.00.95 | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 660 W | 150 A | 1200 V | 20 V | 3.6 V | 6 V | 660 W | 300 ns |