制造商是'Advanced'
Advanced 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 越来越多的功能 | 触点形状 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 插入材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | 终止次数 | ECCN 代码 | 温度系数 | 连接器类型 | 类型 | 电阻 | 定位的数量 | 组成 | 功率(瓦特) | 紧固类型 | 子类别 | 触点类型 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 方向 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 入口保护 | Reach合规守则 | 外壳完成 | 引脚数量 | 外壳尺寸-插入 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 执行器类型 | 工作频率 | 房屋颜色 | 输出类型 | 失败率 | 配置 | 注意 | 速度 | 外壳尺寸，MIL | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 输出功率 | 工作温度 - 结点 | 晶体管应用 | 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值） | 平均整流电流（Io） | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 包括 | 增益 | 电容@Vr, F | 内置开关 | 编码器类型 | 最大耗散功率(Abs) | 止动器 | 每转脉冲 | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益（hFE） | 旋转寿命(循环分钟) | 连续集电极电流 | 集电极-发射器电压-最大值 | 最高频段 | 反向恢复时间(trr) | 集电极-基极电容-最大值 | 特征 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 材料可燃性等级 | 评级结果 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BLW50F | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 4 V | 87 W | NPN | + 200 C | 19 | 0.561650 oz | - 65 C | 1 | 螺钉安装 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | 7.5 A | Details | 55 V | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 | FLANGE MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | BLW50F | ROUND | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 4.35 | 射频双极晶体管 | SOT-123 | NO | 4 | SILICON | PEI-Genesis | Bulk | Tray | * | EAR99 | 射频双极功率 | Transistors | Si | RADIAL | FLAT | unknown | 4 | O-CRFM-F4 | 不合格 | 30 MHz | Single | NPN | 双极电源 | 94 W | 3.25 A | 15 | 3.25 A | 55 V | 甚高频段 | 100 pF | 射频双极晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLX98 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Free Hanging (In-Line) | KPSE | 16 (4), 20 (8) | 活跃 | 4 V | 5.3 W | NPN | 通孔 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Details | 40 V | 射频双极晶体管 | - | Circular | 铝合金 | Polychloroprene | ITT Cannon, LLC | Bulk | -55°C ~ 125°C | Tray | KPSE | Plug Housing | 用于内螺纹插座 | 12 | 卡口锁 | Transistors | Crimp | Si | N (Normal) | Shielded | 抗环境干扰 | Chromate over Cadmium | 14-12 | 40 MHz to 860 MHz | 橄榄色 | Single | 不包括触点 | - | 双极电源 | - | 2 A | Backshell, Coupling Nut, Shrink Boot Adapter | 射频双极晶体管 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLV33 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Stud Mount | 活跃 | 4 V | 132 W | NPN | + 200 C | 15 | - 65 C | 通孔 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | 20 A | Details | 33 V | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 | POST/STUD MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | 750 MHz | BLV33 | ROUND | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 5.09 | 射频双极晶体管 | DO-203AB, DO-5, Stud | NO | DO-5 | 4 | SILICON | 微芯片技术 | Bulk | Tray | - | EAR99 | 射频双极功率 | Transistors | Standard | RADIAL | FLAT | unknown | O-CRPM-F4 | 不合格 | 224 MHz | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 975 mV @ 70 A | 175°C (Max) | AMPLIFIER | 100 V | 70A | NPN | 双极电源 | 300pF @ 10V, 1MHz | 132 W | 12.5 A | 15 | 12.5 A | 33 V | 甚高频段 | 50 ns | 射频双极晶体管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLV21 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36 W | NPN | + 200 C | 5 | 0.374172 oz | - 65 C | 1 | 螺钉安装 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Details | 35 V | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 | FLANGE MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | BLV21 | ROUND | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 5.08 | 射频双极晶体管 | SOT-123 | NO | 4 | SILICON | 4 V | Tray | EAR99 | 射频双极功率 | Transistors | Si | RADIAL | FLAT | unknown | 4 | O-CRFM-F4 | 不合格 | 175 MHz | Single | AMPLIFIER | NPN | 双极电源 | 36 W | 1.75 A | 10 | 1.75 A | 35 V | 甚高频段 | 50 pF | 射频双极晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5176 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 30 W | NPN | + 200 C | 10 | - 65 C | 通孔 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Details | 33 V | POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4 | POST/STUD MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | MRF5176 | ROUND | 1 | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 5.13 | 射频双极晶体管 | Case244-04 | NO | 4 | SILICON | 4 V | Tray | EAR99 | 射频双极功率 | Transistors | Si | RADIAL | FLAT | unknown | O-CRPM-F4 | 不合格 | 400 MHz | SINGLE | AMPLIFIER | NPN | 双极电源 | 30 W | 2 A | 10 | 2 A | 33 V | 超高频段 | 25 pF | 射频双极晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLV20 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 4 V | 20 W | NPN | + 200 C | 10 | - 65 C | 1 | 螺钉安装 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | 2.5 A | Details | 35 V | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 | FLANGE MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | BLV20 | ROUND | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 4.35 | 射频双极晶体管 | 01005 (0402 Metric) | NO | 1005 | 4 | SILICON | Stackpole Electronics Inc | Bulk | -55°C ~ 125°C | Tray | RMCF | 0.016 L x 0.008 W (0.40mm x 0.20mm) | ±1% | 2 | EAR99 | ±200ppm/°C | 射频双极功率 | 402 kOhms | 厚膜 | 0.03W, 1/32W | Transistors | Si | RADIAL | FLAT | unknown | 4 | O-CRFM-F4 | 不合格 | 175 MHz | - | Single | AMPLIFIER | NPN | 双极电源 | 20 W | 1 A | 10 | 1 A | 35 V | 甚高频段 | Automotive AEC-Q200 | 射频双极晶体管 | 0.006 (0.15mm) | AEC-Q200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF141 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 V | 300 W | N-Channel | + 200 C | 40 V | - 65 C | SMD/SMT | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | Details | 16 A | 5 mOhms | 射频MOSFET晶体管 | 221-11-3 | 65 V | Tray | MOSFETs | Si | 175 MHz | Single | 150 W | 20 dB | 射频MOSFET晶体管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLV57 | Advanced | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 面板安装 | 活跃 | 3.5 V | 77 W | NPN | + 200 C | 15 | - 65 C | 螺钉安装 | Advanced Semiconductor, Inc. | Advanced Semiconductor, Inc. | 4 A | Details | 27 V | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8 | FLANGE MOUNT | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 200 °C | 2500 MHz | BLV57 | RECTANGULAR | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | 5.09 | 射频双极晶体管 | SOT-161A | YES | 8 | SILICON | Grayhill Inc. | Bulk | Tray | 62VG | EAR99 | 射频双极功率 | Transistors | Si | 3.175V ~ 3.425V | DUAL | 用户可选 | FLAT | unknown | 8 | 带连接器的电缆 | R-CDFM-F8 | 不合格 | 1/4 Dia Flatted End | 860 MHz | NPN - Open Collector, Quadrature, 2-Bit | Single | AMPLIFIER | NPN | 双极电源 | 有 | Optical | 77 W | 有 | - | 2 A | 15 | 1M | 2 A | 27 V | 超高频段 | 射频双极晶体管 |