类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BR25A256FJ-3MGE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SEATED HT-CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 2.5V | 256Kb 32K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 32KX8 | 8 | 5ms | 262144 bit | SERIAL | SPI | 5ms | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GS11FHI020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.08mA | 110ns | FLASH | Parallel | 16 | 60ns | 26b | 1 Gb | 0.0001A | 2.7V | YES | YES | YES | 1K | 64K | 32B | YES | YES | 1.4mm | 13mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W9825G6EH-6 | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2008 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | 150mA | 166MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | 16 | 15b | 256 Mb | 0.002A | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | S29AL008D70TFI010 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT49H8M36FM-33 | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 网格排列 | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA144,12X18,40/32 | 30 | 0.3 ns | 无 | MT49H8M36FM-33 | 300 MHz | 8388608 words | 1.8 V | BGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 8.65 | BGA | YES | 144 | MICRO, BGA-144 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 自动刷新 | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 235 | 1 | 1 mm | unknown | 144 | R-PBGA-B144 | 不合格 | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 8MX36 | 3-STATE | 0.93 mm | 36 | 301989888 bit | COMMON | DDR DRAM | 2,4,8 | 多库页面突发 | 18.5 mm | 11 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70TFA013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2003 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G56 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | 70ns | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 60ns | 67108864 bit | AEC-Q100 | 3V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32400E-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 90-TFBGA | 90 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 90 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 4M x 32 | 1 | 130mA | 130mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32b | 4MX32 | 3-STATE | 32 | 14b | 128 Mb | 0.001A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 13mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W971GG6KB25I | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 84-TFBGA | 84-WBGA (8x12.5) | Volatile | -40°C~95°C TC | Tray | 2006 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 95°C | -40°C | 1.7V~1.9V | Parallel | 1Gb 64M x 16 | 200MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 15ns | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JR28F064M29EWBA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 30 | JR28F064 | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | 25mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 70ns | 64 Mb | 0.00012A | 75 ns | Asynchronous | 8 | YES | YES | YES | 8127 | 8K64K | 8/16words | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 34LC02T-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.2V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 34LC02 | 8 | 5V | 2.2V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25WF020A-40I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | SST25 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 1 | 1.8V | 1.27mm | SST25WF020 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | 40MHz | FLASH | SPI | 2MX1 | 1 | 3.5ms | 2 Mb | 256B | 6mm | 5mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 54-VFBGA | YES | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 54 | 3A991.B.2.A | 锡银铜 | 它还可运行同步突发模式 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.75mm | 40 | 54 | 不合格 | 1.95V | 1.8V | 1.7V | 32Mb 2M x 16 | ASYNCHRONOUS | PSRAM | Parallel | 2MX16 | 3-STATE | 16 | 70ns | 0.00015A | 70 ns | COMMON | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8687503XA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tube | Volatile | 5962-8687503 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 8 | 4.5 V | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 通孔 | 48-DIP (0.600", 15.24mm) | 48-SIDE BRAZED | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 8Kbit | 65 mA | 55 ns | SRAM | Parallel | 1 k x 8 | 55ns | SRAM | 1K x 8 | 3.3 mm | 61.72 mm | 15.24 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT28LV65J-25 | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | Non-Volatile | CAT28LV65 | 表面贴装 | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 28-SOIC | onsemi | Bulk | 0°C ~ 70°C (TA) | * | 3V ~ 3.6V | 64Kbit | 250 ns | EEPROM | 5ms | 8K x 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA640AT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 1.8V~5.5V | 10MHz | 25AA640A | 5V | SPI, Serial | 5.5V | 1.8V | 64Kb 8K x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 64 kb | 3MHz | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1613KV18-300BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | CY7C1613 | 165 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 144Mb 8M x 18 | 2 | 710mA | 300MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 8MX18 | 3-STATE | 18 | 21b | 144 Mb | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS6C4008A-55STIN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 55ns | 19b | 4 Mb | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29PL032J60BFI123 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | PL-J | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 上下靴块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 40 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 2M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.07mA | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 60ns | 0.000005A | 33554432 bit | 60 ns | 3V | YES | YES | YES | 1662 | 4K32K | 8words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1mm | 8.15mm | 6.15mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AM27C256-55PC | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Volatile | 活跃 | AM27C256 | 通孔 | 28-DIP (0.600", 15.24mm) | 28-PDIP | Rochester Electronics, LLC | Bulk | 0°C ~ 70°C (TA) | - | 4.5V ~ 5.5V | 256Kbit | 55 ns | EPROM | Parallel | - | 32K x 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR93G66NUX-3ATTR | Rohm Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Volatile | BR93G66 | 3 MHz | + 85 C | 5.5 V | - 40 C | 4000 | 3 mA | 1.7 V | SMD/SMT | 3-Wire | 40 Year | BR93G66NUX-3A | ROHM 半导体 | ROHM 半导体 | Details | HVSON, | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 256 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | BR93G66NUX-3ATTR | 3 MHz | 256 words | 5 V | HVSON | RECTANGULAR | 活跃 | ROHM CO LTD | 2.28 | EEPROM | Production (Last Updated: 2 years ago) | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | VSON008X2030 | 8 | Rohm Semiconductor | 活跃 | -40°C ~ 105°C (TA) | MouseReel | - | ALSO AVAILABLE 1.7V-2.5V OPERATES WITH 1MHZ, 2.5V-4.5V OPERATES WITH 2MHZ | Memory & Data Storage | 1.7V ~ 5.5V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 0.5 mm | compliant | R-PDSO-N8 | 1.7 V to 5.5 V | 5.5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | 4Kbit | SYNCHRONOUS | 3 MHz | 3 mA | EEPROM | Microwire | 256 x 16 | 0.6 mm | 16 | 5ms | 4 kb | 4096 bit | SERIAL | EEPROM | 3-WIRE | 5 ms | EEPROM | 256 x 16 | 3 mm | 2 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS832272GC-200 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 2.3, 3 V | Synchronous | 72 Bit | 2.7, 3.6 V | 有 | 200 MHz | + 70 C | 3.6 V | 0 C | 14 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | LBGA, BGA209,11X19,40 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 3 | 512000 | PLASTIC/EPOXY | BGA209,11X19,40 | 未说明 | 7.5 ns | 70 °C | 有 | GS832272GC-200 | 200 MHz | 524288 words | 2.5 V | LBGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 1.45 | BGA | Commercial grade | SRAM | BGA-209 | YES | 209 | 2.5, 3.3 V | 0 to 70 °C | Tray | GS832272GC | e1 | 有 | 3A991.B.2.B | SCD/DCD Pipeline/Flow Through | 锡银铜 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 209 | R-PBGA-B209 | 不合格 | 2.7 V | 2.5/3.3 V | COMMERCIAL | 2.3 V | 36 Mbit | SYNCHRONOUS | 235 mA, 320 mA | 7.5@Flow-Through/3@P | 512 k x 72 | 3-STATE | 1.7 mm | 72 | 0.06 A | 36 | Commercial | PARALLEL | COMMON | 缓存SRAM | 2.38 V | SRAM | 22 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC16M8A2BB-7E:G | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 16000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA60,8X15,32 | 30 | 5.4 ns | 70 °C | 有 | MT48LC16M8A2BB-7E:G | 143 MHz | 16777216 words | 3.3 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 8.34 | BGA | YES | 60 | TFBGA, BGA60,8X15,32 | e1 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | DRAMs | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | 60 | R-PBGA-B60 | 不合格 | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.33 mA | 16MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | 0.002 A | 134217728 bit | COMMON | 同步剧 | 4096 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 16 mm | 8 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT24C05WI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Industrial grade | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.8V~5.5V | CAT24C05 | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 512 x 8 | 1mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 5ms | 4 kb | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BQ4013YMA-70N | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 通孔 | 通孔 | 32-DIP Module (0.61, 15.49mm) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | 70GHz | BQ4013 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 50mA | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 128KX8 | 70ns | 1 Mb | 0.004A | 70 ns | 8b | 9.4mm | 42.8mm | 18.42mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25G1MF-3GE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SEATED HT-CALCULATED | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | 5.5V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | SPI | 5ms | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | 无铅 |