生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-UFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

VSON008X2030

终端数量

8

厂商

Rohm Semiconductor

Active

Non-Volatile

BR93G66

3 MHz

+ 85 C

5.5 V

- 40 C

4000

3 mA

1.7 V

SMD/SMT

3-Wire

40 Year

BR93G66NUX-3A

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Details

HVSON,

SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

256

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

NOT SPECIFIED

85 °C

Yes

BR93G66NUX-3ATTR

3 MHz

256 words

5 V

HVSON

RECTANGULAR

Active

ROHM CO LTD

2.28

系列

-

操作温度

-40°C ~ 105°C (TA)

包装

MouseReel

附加功能

ALSO AVAILABLE 1.7V-2.5V OPERATES WITH 1MHZ, 2.5V-4.5V OPERATES WITH 2MHZ

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.7V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

NO LEAD

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N8

工作电源电压

1.7 V to 5.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

4Kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

3 MHz

电源电流-最大值

3 mA

内存格式

EEPROM

内存接口

Microwire

组织结构

256 x 16

座位高度-最大

0.6 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

产品类别

EEPROM

密度

4 kb

记忆密度

4096 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

3-WIRE

写入周期时间 - 最大值

5 ms

产品类别

EEPROM

组织的记忆

256 x 16

宽度

2 mm

长度

3 mm