![TCST5250](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductoroptodivision-tcst5250-5036.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Silver, Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole, Right Angle
包装/外壳
PCB Mount
引脚数
4
70V
100mA
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Tube
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
类型
Unamplified
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-25°C
电压 - 额定直流
1.25V
最大功率耗散
250mW
输出电压
70V
输出类型
Phototransistor
通道数量
1
输出配置
Phototransistor
功率耗散
250mW
输出电流
1.5mA
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
回应时间
15μs, 10μs
正向电压
1.2V
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
100mA
感应距离
0.106 (2.7mm)
电压 - 集射极击穿(最大值)
70V
反向击穿电压
6V
感测方法
Through-Beam
最大输入电流
20mA
最大直流驱动电流(If)
60mA
输入电流
60mA
反向电压(直流电)
6V
高度
11mm
长度
14.3mm
宽度
6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Number of PinsMountSensing DistanceWavelengthCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power Dissipation
-
TCST5250
4
Through Hole
0.106 (2.7mm)
950 nm
70 V
70V
100 mA
250 mW
-
4
PCB, Through Hole
0.118 (3mm)
-
30 V
-
30 mA
-
-
4
Through Hole
3.1mm
950 nm
70 V
70V
100 mA
-
-
4
PCB, Through Hole
0.110 (2.8mm)
950 nm
70 V
70V
100 mA
250 mW
-
4
Through Hole
0.122 (3.1mm)
950 nm
70 V
70V
100 mA
-
TCST5250 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :