规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Silver, Tin
底架
PCB, Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
PCB Mount
引脚数
4
70V
100mA
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Tube
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
类型
Unamplified
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-25°C
电压 - 额定直流
1.25V
最大功率耗散
250mW
输出电压
70V
输出类型
Phototransistor
通道数量
1
输出配置
Phototransistor
功率耗散
250mW
正向电流
60mA
回应时间
15μs, 10μs
上升时间
15μs
正向电压
1.25V
下降时间（典型值）
10 μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
100mA
感应距离
0.110 (2.8mm)
电压 - 集射极击穿（最大值）
70V
反向击穿电压
6V
感测方法
Through-Beam
最大直流驱动电流（If）
60mA
输入电流
60mA
反向电压(直流电)
6V
高度
8.15mm
长度
8.3mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMountSensing DistanceWavelengthRise TimeCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power Dissipation
TCST1230
PCB Mount
4
PCB, Through Hole
0.110 (2.8mm)
950 nm
15 μs
70 V
70V
100 mA
250 mW
Slotted Module, 4-Lead Dual Row
4
Through Hole
3.1mm
950 nm
10 μs
70 V
70V
100 mA
-
PCB Mount
4
Through Hole
0.106 (2.7mm)
950 nm
-
70 V
70V
100 mA
250 mW
Slotted Module, 4-Lead Dual Row
4
Through Hole
0.122 (3.1mm)
950 nm
-
70 V
70V
100 mA
-
4-SMD
4
PCB, Surface Mount
0.079 (2mm)
900 nm
10 μs
20 V
-
20 mA
-
TCST1230 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :