TCET1101G
4-DIP (0.400, 10.16mm)
Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 40-80%
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
4
40% @ 10mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
电压 - 额定直流
1.25V
最大功率耗散
265mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
配置
SINGLE
通道数量
1
功率耗散
265mW
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
每个通道的输出电流
50mA
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
3μs 4.7μs
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
输入电流
50mA
电流传输比（最大）
80% @ 10mA
接通 / 关断时间（典型值）
6μs, 5μs
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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