CNY65B
4-EDIP (0.300, 7.62mm)
VISHAY - CNY65B - OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 13900VRMS
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-EDIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
4
32V
100% @ 10mA
操作温度
-55°C~85°C
包装
Tube
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
1.25V
最大功率耗散
250mW
审批机构
UL
电压-隔离度
13900VDC
输出电压
32V
输出类型
Transistor
通道数量
1
功率耗散
250mW
输入类型
DC
正向电流
75mA
最大输出电压
32V
每个通道的输出电流
50mA
上升时间
2.4μs
下降时间（典型值）
2.7 μs
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
2.4μs 2.7μs
反向击穿电压
5V
最大输入电流
75mA
输入电流
75mA
电流传输比（最大）
200% @ 10mA
接通 / 关断时间（典型值）
5μs, 3μs
Vce 饱和度（最大值）
300mV
反向电压(直流电)
5V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Max)Current Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput Voltage
CNY65B
4-EDIP (0.300, 7.62mm)
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50% @ 10mA
2.4 μs
32 V
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4
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13900VDC
300% @ 10mA
50% @ 10mA
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32 V
32 V
4-EDIP (0.300, 7.62mm)
4
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13900VDC
125% @ 10mA
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32 V
32 V
4-DIP (0.400, 10.16mm)
4
1
5000Vrms
600% @ 5mA
100% @ 5mA
2 μs
-
80 V
CNY65B PDF数据手册
- 数据表 :
- 制造 CAD 模型 :
- PCN 组装/原产地 :
- 仿真模型 :
- Rohs 声明 :