TCDT1122G
6-DIP (0.400, 10.16mm)
Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR > 63-125%
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
6
63% @ 10mA
1
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
通道数量
1
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
每个通道的输出电流
50mA
上升时间
3μs
集电极发射器电压(VCEO)
90V
最大集电极电流
50mA
反向击穿电压
5V
最大输入电流
60mA
输入电流
50mA
电流传输比（最大）
125% @ 10mA
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Max)Current Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput Voltage
TCDT1122G
6-DIP (0.400, 10.16mm)
6
1
5000Vrms
125% @ 10mA
63% @ 10mA
3 μs
70 V
70 V
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
2500Vrms
-
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30 V
70 V
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
125% @ 10mA
63% @ 10mA
7 μs
32 V
32 V
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
125% @ 10mA
63% @ 10mA
-
70 V
70 V
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
125% @ 10mA
63% @ 10mA
2.5 μs
70 V
-
TCDT1122G PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :