TCDT1101G
6-DIP (0.400, 10.16mm)
Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR > 40-80%
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
6
供应商器件包装
6-DIP
40% @ 10mA
1
操作温度
-55°C~110°C
包装
Tube
已出版
2001
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
32V
输出类型
Transistor
通道数量
1
电压
5V
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
32V
每个通道的输出电流
50mA
上升时间
7μs
正向电压
1.6V
集电极发射器电压(VCEO)
32V
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
7μs 6.7μs
反向击穿电压
5V
最大输入电流
60mA
最大直流驱动电流（If）
60mA
输入电流
50mA
电流传输比（最大）
80% @ 10mA
接通 / 关断时间（典型值）
11μs, 7μs
Vce 饱和度（最大值）
300mV
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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-
50% @ 10mA
-
32 V
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TCDT1101G PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :