K817P7
4-DIP (0.300, 7.62mm)
Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 80-160%
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
4
供应商器件包装
4-DIP
80% @ 5mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
1.25V
最大功率耗散
200mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
通道数量
1
功率耗散
200mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
每个通道的输出电流
50mA
正向电压
1.25V
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
3μs 4.7μs
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
最大直流驱动电流(If)
60mA
输入电流
50mA
电流传输比(最大)
160% @ 5mA
接通 / 关断时间(典型值)
6μs, 5μs
Vce 饱和度(最大值)
300mV
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
K817P7 PDF数据手册
- PCN 报废/ EOL :
- Rohs 声明 :