![UF4SC120030K4S](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-4
供应商器件包装
TO-247-4
厂商
UnitedSiC
Tube
Active
53A (Tc)
12V
341W (Tc)
1.2 kV
6 V
341 W
N-Channel
+ 175 C
- 20 V, + 20 V
- 55 C
30
Through Hole
Depletion
UnitedSiC
UnitedSiC
37.8 nC
39 mOhms
Details
53 A
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
MOSFETs
通道数量
1 Channel
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
39mOhm @ 20A, 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37.8 nC @ 800 V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET