![UF3C120080B7S](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件包装
D2PAK-7
厂商
UnitedSiC
Active
28.8A (Tc)
190W (Tc)
UF3C120080
1.2 kV
Yes
31 ns, 33 ns
6 V
190 W
N-Channel
+ 175 C
- 25 V, + 25 V
- 55 C
800
Through Hole
Enhancement
UnitedSiC
UnitedSiC
23 nC
SiC FET
85 mOhms
Details
30 ns
28.8 A
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Cut Tape
子类别
MOSFETs
配置
Single
通道数量
1 Channel
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
754 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23 nC @ 12 V
上升时间
7 ns, 6 ns
漏源电压 (Vdss)
1200 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET