RN1965FE(TE85L,F)
SOT-563, SOT-666
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
晶体管元件材料
SILICON
50V
2
80
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
100mW
Reach合规守则
unknown
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
2.2k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
RoHS Compliant
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