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CSD86350Q5D

型号:

CSD86350Q5D

封装:

8-PowerLDFN

描述:

Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 触点镀层

    Gold, Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerLDFN

  • 引脚数

    8

  • 24 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    9

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    13W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27mm

  • 基本部件号

    CSD86350

  • 引脚数量

    9

  • 输出电压

    1.3V

  • 输入电压-Nom

    12V

  • 模拟 IC - 其他类型

    SWITCHING REGULATOR

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    13W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • 输入电压(最大)

    22V

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6m Ω @ 20A, 8V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250μA

  • 控制技术

    PULSE WIDTH MODULATION

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1870pF @ 12.5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10.7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    23ns

  • 供应电流-最大值(Isup)

    40mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 下降时间(典型值)

    21 ns

  • 切换器配置

    BUCK

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 阈值电压

    1.4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 开关频率-最大值

    1500kHz

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 栅源电压

    1.3 V

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    6mm

  • 器件厚度

    1.5mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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