
CSD75208W1015
6-UFBGA, DSBGA
TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015Dual MOSFET, Dual P Channel, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
1.6A
2
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
750mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
CSD75208
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual) Common Source
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
68m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
410pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
-1.6A
阈值电压
-800mV
栅极至源极电压(Vgs)
-6V
漏极-源极导通最大电阻
0.15Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
高度
1mm
长度
1.5mm
宽度
1.8mm
器件厚度
2mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free