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CSD75208W1015

型号:

CSD75208W1015

封装:

6-UFBGA, DSBGA

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015Dual MOSFET, Dual P Channel, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-UFBGA, DSBGA

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.6A

  • 2

  • 29 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最大功率耗散

    750mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    CSD75208

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual) Common Source

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    68m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    410pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.5nC @ 4.5V

  • 上升时间

    5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -1.6A

  • 阈值电压

    -800mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -6V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15Ohm

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    10 pF

  • 高度

    1mm

  • 长度

    1.5mm

  • 宽度

    1.8mm

  • 器件厚度

    2mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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