SSF2122E
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN3X3-8L, 8 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Active
GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
7 A
2
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F8
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.03 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
42 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR