![IXFN75N50](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
IXFN75N50
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Active
LITTELFUSE INC
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
75 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
NICKEL
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
6000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
700 W