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STW25NM60ND
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
21A Tc
10V
1
160W Tc
50 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
FDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
160mOhm
基本部件号
STW25N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
接通延迟时间
60 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
30ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
21A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84A
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STW25NM60ND
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
4 V
25 V
160 W
160W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
3 V
25 V
140 W
140W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
205 W
205W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
4 V
-
-
190W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
13.5 A
27A (Tc)
3 V
25 V
190 W
190W (Tc)
STW25NM60ND PDF数据手册
- 数据表 :