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STW21N65M5

型号:

STW21N65M5

封装:

TO-247-3

数据表:

STx21N65M5

描述:

MOSFET N-CH 650V 17A TO-247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 125W Tc

  • 10V

  • 17A Tc

  • 12 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ V

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    190mOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 基本部件号

    STW21N

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    125W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    190m Ω @ 8.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1950pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    50nC @ 10V

  • 上升时间

    10ns

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 下降时间(典型值)

    24 ns

  • 连续放电电流(ID)

    17A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    68A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    400 mJ

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • STW21N65M5

    STW21N65M5

    Through Hole

    TO-247-3

    17 A

    17A (Tc)

    4 V

    25 V

    125 W

    125W (Tc)

  • STW26NM60N

    Through Hole

    TO-247-3

    20 A

    20A (Tc)

    3 V

    25 V

    140 W

    140W (Tc)

  • STW28NM50N

    Through Hole

    TO-247-3

    21 A

    21A (Tc)

    4 V

    25 V

    160 W

    160W (Tc)

  • STW25NM60ND

    Through Hole

    TO-247-3

    21 A

    21A (Tc)

    3 V

    25 V

    150 W

    150W (Tc)

STW21N65M5 PDF数据手册