
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
125W Tc
10V
17A Tc
12 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
190mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
STW21N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
125W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1950pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STW21N65M5
Through Hole
TO-247-3
17 A
17A (Tc)
4 V
25 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
3 V
25 V
140 W
140W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
4 V
25 V
160 W
160W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
3 V
25 V
150 W
150W (Tc)
STW21N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :