![STW18NM60ND](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-tm8050h8w-3064.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
13A Tc
10V
1
110W Tc
13 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
FDmesh™ II
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STW18N
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
55 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
290m Ω @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1030pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
上升时间
15.5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.29Ohm
漏源击穿电压
650V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
雪崩能量等级(Eas)
187 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
STW18NM60ND
Through Hole
TO-247-3
600V
13 A
13A (Tc)
25 V
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
16 A
16A (Tc)
20 V
280W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
13 A
13A (Tc)
-
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
13 A
13A (Tc)
25 V
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
14 A
14A (Tc)
25 V
125W (Tc)
10V
STW18NM60ND PDF数据手册
- 数据表 :