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STW18NM60ND

型号:

STW18NM60ND

封装:

TO-247-3

数据表:

STx18NM60ND

描述:

MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 13A Tc

  • 10V

  • 1

  • 110W Tc

  • 13 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    FDmesh™ II

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 基本部件号

    STW18N

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    55 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    290m Ω @ 6.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1030pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    34nC @ 10V

  • 上升时间

    15.5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 下降时间(典型值)

    18 ns

  • 连续放电电流(ID)

    13A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.29Ohm

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    52A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    187 mJ

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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