![STW15NM60N](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-stpsc2006cw-4626.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
14A Tc
10V
1
125W Tc
80 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STW15N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
125W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
299m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1250pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.299Ohm
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
STW15NM60N
Through Hole
TO-247-3
14 A
14A (Tc)
25 V
125 W
125W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
18 A
18A (Tc)
25 V
-
150W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
13 A
13A (Tc)
25 V
-
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
16 A
16A (Tc)
20 V
280 W
280W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
13 A
13A (Tc)
25 V
-
110W (Tc)
10V
STW15NM60N PDF数据手册
- 数据表 :