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STW15NM60N

型号:

STW15NM60N

封装:

TO-247-3

数据表:

STx15NM60N

描述:

MOSFET N-CH 600V 14A TO-247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 14A Tc

  • 10V

  • 1

  • 125W Tc

  • 80 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ II

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    STW15N

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    125W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    299m Ω @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1250pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    37nC @ 10V

  • 上升时间

    14ns

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 下降时间(典型值)

    30 ns

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.299Ohm

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    56A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    300 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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