STGY40NC60VD
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGY40NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, MAX-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
390V, 40A, 3.3 Ω, 15V
170 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
260W
额定电流
50A
基本部件号
STGY40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
260W
输入类型
Standard
接通延迟时间
43 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
19ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
44ns
连续放电电流(ID)
50A
接通时间
61 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V, 40A
关断时间-标准值（toff)
247 ns
闸门收费
214nC
Td（开/关）@25°C
43ns/140ns
开关能量
330μJ (on), 720μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
20.3mm
长度
15.9mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STGY40NC60VD PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :