STGW35NB60SD
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
480V, 20A, 100 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
200W
额定电流
35A
基本部件号
STGW35
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200W
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
70ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
44 ns
连续放电电流(ID)
70A
JEDEC-95代码
TO-247AA
最大击穿电压
600V
接通时间
153 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V, 20A
关断时间-标准值（toff)
3600 ns
闸门收费
83nC
集极脉冲电流（Icm）
250A
Td（开/关）@25°C
92ns/1.1μs
开关能量
840μJ (on), 7.4mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STGW35NB60SD PDF数据手册
- 数据表 :