STGP30M65DF2
TO-220-3
STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
650V
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
258W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STGP30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
258W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
140 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V, 30A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
80nC
集极脉冲电流（Icm）
120A
Td（开/关）@25°C
31.6ns/115ns
开关能量
300μJ (on), 960μJ (off)
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery TimeRoHS Status
STGP30M65DF2
Through Hole
TO-220-3
650 V
60 A
258 W
1.55 V
140 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-220-3
650 V
74 A
255 W
1.65 V
62 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-220-3
650 V
74 A
255 W
1.6 V
-
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-220-3
650 V
74 A
255 W
1.6 V
60 ns
ROHS3 Compliant
Through Hole
TO-220-3
600 V
60 A
260 W
2.4 V
110 ns
ROHS3 Compliant
STGP30M65DF2 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :