STGP19NC60HD
TO-220-3
STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
390V, 12A, 10 Ω, 15V
97 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
130W
基本部件号
STGP19
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
130W
输入类型
Standard
接通延迟时间
25 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
7ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
反向恢复时间
31ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
32 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V, 12A
关断时间-标准值（toff)
272 ns
闸门收费
53nC
集极脉冲电流（Icm）
60A
Td（开/关）@25°C
25ns/97ns
开关能量
85μJ (on), 189μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STGP19NC60HD
Through Hole
TO-220-3
600 V
40 A
130 W
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40 A
167 W
167 W
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TO-220-3
600 V
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178 W
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STGP19NC60HD PDF数据手册
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