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STGF10NC60KD

型号:

STGF10NC60KD

封装:

TO-220-3 Full Pack

数据表:

STGx10NC60KD

描述:

In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 600V

  • 1

  • 390V, 5A, 10 Ω, 15V

  • 6.5 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerMESH™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    25W

  • 额定电流

    9A

  • 基本部件号

    STGF10

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    25W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    6 ns

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 上升时间

    6ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    9A

  • 反向恢复时间

    22 ns

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 接通时间

    23 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 5A

  • 关断时间-标准值(toff)

    242 ns

  • 闸门收费

    19nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    30A

  • Td(开/关)@25°C

    17ns/72ns

  • 开关能量

    55μJ (on), 85μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    7V

  • 高度

    16.4mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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