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STF42N65M5
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STF42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
33A Tc
10V
1
40W Tc
65 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
79MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STF42N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
40W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
61 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
79m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4650pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
24ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
33A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
雪崩能量等级(Eas)
950 mJ
高度
9.3mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
STF42N65M5
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
33 A
33A (Tc)
25 V
40 W
40W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
38 A
38A (Tc)
20 V
35 W
35W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
27 A
27A (Tc)
25 V
40 W
40W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
42 A
42A (Tc)
25 V
40 W
40W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
35 A
35A (Tc)
25 V
40 W
40W (Tc)
10V
STF42N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :