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STF45N65M5

型号:

STF45N65M5

封装:

TO-220-3 Full Pack

数据表:

STB,F,P45N65M5

描述:

MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 10V

  • 1

  • 40W Tc

  • 35A Tc

  • 79.5 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ V

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    ULTRA LOW RESISTANCE

  • 基本部件号

    STF45N

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    40W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    79.5 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    78m Ω @ 19.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3375pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    91nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 连续放电电流(ID)

    35A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.078Ohm

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    140A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    810 mJ

  • 高度

    16.4mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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