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STF10N62K3
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STF10N62K3 Power MOSFET, N Channel, 8.4 A, 620 V, 0.68 ohm, 10 V, 3.75 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
8.4A Tc
10V
1
30W Tc
41 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
SINGLE
基本部件号
STF10N
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
30W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
14.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
750m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1250pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
8.4A
阈值电压
3.75V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.75Ohm
漏源击穿电压
620V
雪崩能量等级(Eas)
220 mJ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STF10N62K3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
8.4 A
8.4A (Tc)
3.75 V
30 V
30 W
30W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
7 A
7A (Tc)
3.75 V
30 V
30 W
30W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
10 A
10A (Tc)
3.75 V
30 V
35 W
35W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
7.2 A
7.2A (Tc)
3.75 V
30 V
30 W
30W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
8.7 A
8.7A (Tc)
3 V
30 V
33 W
33W (Tc)
STF10N62K3 PDF数据手册
- 数据表 :