STD25NF10LT4
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
58 ns
100W Tc
1
4.5V 10V
25A Tc
系列
STripFET™ II
包装
Cut Tape (CT)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
35mOhm
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
100V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
25A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD25N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
电压
100V
元素配置
Single
电流
17A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1710pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52nC @ 5V
上升时间
40ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
20 ns
连续放电电流(ID)
25A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级（Eas）
450 mJ
最大结点温度（Tj）
175°C
栅源电压
2.5 V
宽度
6.2mm
长度
6.6mm
高度
2.63mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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3.1W (Ta), 69W (Tc)
STD25NF10LT4 PDF数据手册
- 数据表 :