STB141NF55
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
300W Tc
125 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STB141N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
142nC @ 10V
上升时间
150ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
45 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.008Ohm
漏源击穿电压
55V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
STB141NF55
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount, Through Hole
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
104 A
104A (Tc)
16 V
200 W
3.8W (Ta), 200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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