工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

43 ns

3.8W Ta 200W Tc

1

4V 10V

104A Tc

已出版

1998

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

8mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

55V

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

104A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 54A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 5V

上升时间

160ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

104A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

恢复时间

210 ns

栅源电压

2 V

宽度

9.65mm

长度

10.668mm

高度

4.699mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free