STB120N4LF6
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
5V 10V
1
110W Tc
125 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
4MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
基本部件号
STB120N
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
95ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
45 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STB120N4LF6
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
1 V
20 V
110 W
110W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 mA
75A (Tc)
2.7 V
16 V
230 W
230W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
1 V
20 V
110 W
110W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
-
20 V
110 W
110W (Tc)
STB120N4LF6 PDF数据手册
- 数据表 :