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BU508AW

型号:

BU508AW

封装:

TO-247-3

数据表:

BU508AW

描述:

BU508AW Series NPN 700 V 8 A High Voltage Power Transistor - TO-247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 700V

  • 1

  • 10

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    125W

  • 基本部件号

    BU508

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    125W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    700V

  • 最大集电极电流

    8A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    10 @ 100mA 5V

  • 最大集极截止电流

    200μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1V @ 1.6A, 4.5A

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    24.45mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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