![BD139](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-bd677-5223.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
质量
90.718474mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
SOT-32-0016114E
80V
1
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
1.25W
额定电流
1.5A
基本部件号
BD139
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.25W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
13.2mm
长度
7.8mm
宽度
2.9mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
BD139 PDF数据手册
- 数据表 : BD135-136,139-140 BD139-STMicroelectronics-datasheet-5315526.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-12518896.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-62331697.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-21579.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-101505.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-9687901.pdf BD139-STMicroelectronics-datasheet-14065025.pdf
- 仿真模型 :