![GP2S60A](https://static.esinoelec.com/200dimg/sharpmicroelectronics-gp2s60a-2201.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
4-SMD, No Lead
引脚数
4
35V
20mA
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2006
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
5 (48 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-25°C
输出类型
Phototransistor
通道数量
1
功率耗散
100mW
正向电流
20mA
回应时间
20μs
上升时间
20μs
正向电压
1.2V
下降时间(典型值)
20 μs
集电极发射器电压(VCEO)
35V
最大集电极电流
20mA
感应距离
0.028 (0.7mm)
电压 - 集射极击穿(最大值)
35V
反向击穿电压
6V
感测方法
Reflective
最大击穿电压
35V
最大直流驱动电流(If)
50mA
反向电压(直流电)
6V
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMountSensing DistanceWavelengthCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector Current
-
GP2S60A
4-SMD, No Lead
4
Surface Mount
0.028 (0.7mm)
950 nm
35 V
35V
20 mA
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SMD/SMT
4
Surface Mount
40m
950 nm
-
-
-
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SMD/SMT
4
Surface Mount
30m
950 nm
-
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-
SMD/SMT
4
Surface Mount
40m
950 nm
-
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GP2S60A PDF数据手册
- PCN 组装/原产地 :