![GP2S40J0000F](https://static.esinoelec.com/200dimg/sharpmicroelectronics-gp2s40j0000f-2303.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
PCB Mount
引脚数
4
35V
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e2
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
附加功能
5V VCE
Reach合规守则
unknown
本体宽度
3 mm
输出类型
Phototransistor
终端类型
SOLDER
功率耗散
100mW
输出电流
20mA
正向电流
20mA
回应时间
50μs, 50μs
上升时间
50μs
正向电压
1.2V
下降时间(典型值)
50 μs
集电极发射器电压(VCEO)
35V
最大集电极电流
20mA
感应距离
0.138 (3.5mm)
反向击穿电压
6V
反向电压
6V
感测方法
Reflective
最大直流驱动电流(If)
50mA
传感器/传感器类型
LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
输出范围
0.50-3mA
最大测量范围
3 mm
最小测量范围
3 mm
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
GP2S40J0000F PDF数据手册
- 数据表 :