
UT6MA3TCR
6-PowerUDFN
20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-PowerUDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
5A 5.5A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
59m Ω @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
460pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.042Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
DS 击穿电压-最小值
20V
雪崩能量等级(Eas)
2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
UT6MA3TCR PDF数据手册
- 数据表 :