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QS6M3TR

型号:

QS6M3TR

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

描述:

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 45 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    360MOhm

  • 最大功率耗散

    900mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1.5A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    *M3

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.25W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    230m Ω @ 1.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    80pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.6nC @ 4.5V

  • 上升时间

    12ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V 20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    12 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 阈值电压

    1.5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 双电源电压

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 栅源电压

    1.5 V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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