![QST9TR](https://static.esinoelec.com/200dimg/rohmsemiconductor-qsx8tr-0837.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
30V
1A
2
270
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.25W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
QST
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
320MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
350mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 25mA, 500mA
转换频率
320MHz
集电极基极电压(VCBO)
-30V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
连续集电极电流
-1A
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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270
QST9TR PDF数据手册
- PCN 设计/规格 :